实验采用JGP450型多靶头磁控溅射仪，基材为K424合金，基材分别在无水乙醇和丙酮中超声波清洗30min后烘干备用。镀膜时本底真空度为6.6×10-4Pa，溅射气体和反应气体分别为Ar(纯度99.999%)和O2(纯度99.999%)，溅射功率为90W，溅射气压为1.0Pa，Ar和O2流量分别为30mL/s和4mL/s，靶基距为60mm，溅射时间为60min，基材温度分别为25℃和300℃。采用镍铬硅型热电偶控制基片温度，到达设定温度后稳定30min。镀膜前靶材在纯Ar气氛中预溅射20min进行清洗，然后通入O2，待辉光稳定后开始实验。

  采用直流反应磁控溅射工艺在25℃和300℃分别制备了ZrO2薄膜和YSZ薄膜。结果表明：不同沉积温度下ZrO2薄膜沉积速率差别不大，而YSZ薄膜在室温时沉积速率较高，而且在相同的沉积条件下ZrO2薄膜比YSZ薄膜易于结晶。25℃时制备的ZrO2薄膜表现为非晶态，薄膜中只有微量的结晶态；300℃沉积的ZrO2薄膜结晶现象明显，薄膜为单斜结构的多晶体，晶体自由取向生长。而在25℃、300℃制备的YSZ薄膜均为非晶态。随沉积温度的升高，ZrO2薄膜表面趋于致密平整，而YSZ薄膜表面则变得更加粗糙。